Campillo Iglesias, Bruno (2012) Estudio del efecto de diferentes electrodos metálicos en estructuras MOS con dieléctrico de puerta de alta-K (Study of the effect of different metallic electrodes on high-K dielectric MOS structures). Tesis Master's thesis.
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Abstract
Los principales temas estudiados en el presente proyecto son: Evolución de estructuras multi-capa GD_2O_3/SC_2O_3, depositadas por High Pressure Sputtering (HPS), tras ser tratadas con Forming Gas Anneling (FGA) en películas dieléctricas, amorfas y homogéneas, cuyas propiedades dieléctricas de alta K sugieren que están compuesta por Gd_xSC_2-xO_3 (0<x<2). Estudio de la compatibilidad de metales de puerta/contacto sobre dieléctricos Gd_xSC_2-xO_3 (0<x<2): Pt, Ta/Pt, Ti/Ta, Pt/Al, Ta/Al, Ti/Ta/Al. Análisis de posibles mecanismos de fallo de los metales de contacto asociado a la no conformidad de películas depositadas por E-BEAM. Implementación y optimización de procesos de fotolitografía positiva para el comido selectivo de películas de SiO_2. Reparación y caracterización de equipos de High Pressure Sputtering afectado por problemas de invasión del plasma dentro de los electrodos. [ABSTRACT] The main topics treated in the present project are: Evolution of multi-stack GD_2O_3/SC_2O_3 structures, grown by High Pressure Sputtering (HPS), after a Forming Gas Annealing (FGA) treatment in dielectric films, amorphous and homogeneous, whose high-K dielectric properties suggest that are composed by Gd_xSC_2-xO_3 (0<x<2). Compatibility study of gate/contact metals over Gd_xSC_2-xO_3 (0<x<2) dielectrics: Pt, Ta/Pt, Ti/Ta, Pt/Al, Ta/Al, Ti/Ta/Al. Most-likely failure mechanism analysis of contact metals owing to non-conformal films grown by E-BEAM. Implementation and optimization of positive photolithography processes for the selective etching of SiO_2 films. Reparation and characterization of High Pressure Sputtering equipment suffering problems related to plasma invasion of the electrodes.
| Item Type: | Thesis (Master's thesis) | ||||||
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| Additional Information: | Máster en Física Aplicada. Facultad de Ciencias Físicas. Curso 2011-2012. | ||||||
| Directors: |
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| Uncontrolled Keywords: | Dieléctricos de Alta K, Metal de Puerta, Estructuras MIS, Transistores, MOSFET, Escalado, Curvas C-V, Fotolitografía Positiva, HPS, FGA, Películas no Conformes, High-K Dielectrics, Gate Metal, MIS Structures, MOSFET Transistors, Scaling, C-V Curves, Positive Photolithography, HPS, FGA, Non-conformal films. | ||||||
| Subjects: | Sciences > Physics > Electronics | ||||||
| ID Code: | 16619 | ||||||
| References: | [1] Sze & Ng, “Physics of Semiconductor Devices”, 3ªed, Wiley. [2] Neamen, “Semiconductor Physics and Devices”, 3ªed, McGraw-Hill. [3] Robertson, “High dielectric constant gate oxides for metal oxide Si transistors”, Rep. Prog. Phys. 69. 327-396. (2006). [4] Zhao, et al, “Ternary rare-earth metal oxide high-k layer on silicon oxide”, App.Phy.Lett.86. 132903 (2005). [5] Kittl, et al, “High-k dielectrics for future generation memory devices”, Microelectronic Engineering 86 1789-1795, (2009). [6] Pampillón, et al, “Towards metal electrode interface scavenging of rare-earth scandates: A Sc_2O_3 and Gd_2O_3 study”, Microelectronic Engineering 88 1357-1360 (2011). [7] Nicollian, Brews, “MOS Physics and Technology”, 1ªed, Wiley. [8] Microchemicals, “Theory and Application of Photoresist, Etchants and Solvents”. [9] Wolf, Tauber, “Silicon Processing for the VLSI Era. Vol I”, 1ªed, Lattice Press. [10] H. G. Tompkins, W. A. McGahan, “Spectroscopic Ellipsometry and reflectometry: A user’s Guide”, John Wiley & Sons, New York, USA (1999). | ||||||
| Deposited On: | 08 Oct 2012 17:37 | ||||||
| Last Modified: | 08 Oct 2012 17:37 |
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