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Estudio del efecto de diferentes electrodos metálicos en estructuras MOS con dieléctrico de puerta de alta-K (Study of the effect of different metallic electrodes on high-K dielectric MOS structures)

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Campillo Iglesias, Bruno (2012) Estudio del efecto de diferentes electrodos metálicos en estructuras MOS con dieléctrico de puerta de alta-K (Study of the effect of different metallic electrodes on high-K dielectric MOS structures). [Trabajo fin de Máster]

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Resumen

Los principales temas estudiados en el presente proyecto son:
Evolución de estructuras multi-capa GD_2O_3/SC_2O_3, depositadas por High Pressure Sputtering (HPS), tras ser tratadas con Forming Gas Anneling (FGA) en películas
dieléctricas, amorfas y homogéneas, cuyas propiedades dieléctricas de alta K sugieren que están compuesta por Gd_xSC_2-xO_3 (0<x<2).
Estudio de la compatibilidad de metales de puerta/contacto sobre dieléctricos Gd_xSC_2-xO_3 (0<x<2): Pt, Ta/Pt, Ti/Ta, Pt/Al, Ta/Al, Ti/Ta/Al. Análisis de posibles mecanismos de fallo de los metales de contacto asociado a la no conformidad de películas depositadas por E-BEAM.
Implementación y optimización de procesos de fotolitografía positiva para el comido selectivo de películas de SiO_2.
Reparación y caracterización de equipos de High Pressure Sputtering afectado por problemas de invasión del plasma dentro de los electrodos. [ABSTRACT] The main topics treated in the present project are:
Evolution of multi-stack GD_2O_3/SC_2O_3 structures, grown by High Pressure Sputtering (HPS), after a Forming Gas Annealing (FGA) treatment in dielectric films, amorphous and homogeneous, whose high-K dielectric properties suggest that are composed by Gd_xSC_2-xO_3 (0<x<2).
Compatibility study of gate/contact metals over
Gd_xSC_2-xO_3 (0<x<2) dielectrics: Pt, Ta/Pt, Ti/Ta, Pt/Al, Ta/Al, Ti/Ta/Al. Most-likely failure mechanism analysis of contact metals owing to non-conformal films grown by E-BEAM.
Implementation and optimization of positive photolithography processes for the selective etching of SiO_2 films.
Reparation and characterization of High Pressure Sputtering equipment suffering problems related to plasma invasion of the electrodes.


Tipo de documento:Trabajo fin de Máster
Información Adicional:

Máster en Física Aplicada. Facultad de Ciencias Físicas. Curso 2011-2012.

Directores (o tutores):
NombreEmail del director (o tutor)
San Andrés Serrano, Enriqueesas@fis.ucm.es
Feijoo Guerro, Pedro Carlospedronska@fis.ucm.es
Palabras clave:Dieléctricos de Alta K, Metal de Puerta, Estructuras MIS, Transistores, MOSFET, Escalado, Curvas C-V, Fotolitografía Positiva, HPS, FGA, Películas no Conformes, High-K Dielectrics, Gate Metal, MIS Structures, MOSFET Transistors, Scaling, C-V Curves, Positive Photolithography, HPS, FGA, Non-conformal films.
Materias:Ciencias > Física > Electrónica
Código ID:16619
Depositado:08 Oct 2012 15:37
Última Modificación:08 Oct 2012 15:37

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