Complutense University Library

Crecimiento y caracterizacion de GaAs sobre Si por epitaxia de haces moleculares

González Díez, María Yolanda (2002) Crecimiento y caracterizacion de GaAs sobre Si por epitaxia de haces moleculares. Tesis PhD.

[img] PDF
15MB
View download statistics for this eprint

==>>> Export to other formats

Abstract

En este trabajo de tesis se estudian y aportan soluciones a los problemas intrínsecamente ligados al sistema epitaxial GaAs sobre sí. Se ha estudiado el proceso de nucleación, la distribución de tensiones que aparece debido a la diferencia de parámetros de red y de coeficiente de expansión térmica que existe entre estos materiales, el proceso de aniquilación de dominios de antifase que aparecen por el hecho de crecer un material polar sobre uno no polar y se han realizado crecimientos a baja temperatura sobre substratos de sí también tratados a baja temperatura.

Item Type:Thesis (PhD)
Additional Information:Tesis de la Universidad Complutense de Madrid, Facultad de Ciencias Físicas, Departamento de Física de Materiales, leída el 05-07-1991
Directors:
DirectorsDirector email
González Sotos, LuisaUNSPECIFIED
Uncontrolled Keywords:Propiedades de materiales Semiconductores Tecnología de materiales Ciencias Tecnológicas Física del estado sólido Física
Subjects:Sciences > Physics > Materials
Sciences > Physics > Solid state physics
ID Code:1871
Deposited On:25 Oct 2004
Last Modified:17 Mar 2011 13:10

Repository Staff Only: item control page