Biblioteca de la Universidad Complutense de Madrid

Crecimiento y caracterizacion de GaAs sobre Si por epitaxia de haces moleculares

Impacto



González Díez, María Yolanda (2002) Crecimiento y caracterizacion de GaAs sobre Si por epitaxia de haces moleculares. [Tesis Doctoral]

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Resumen

En este trabajo de tesis se estudian y aportan soluciones a los problemas intrínsecamente ligados al sistema epitaxial GaAs sobre sí. Se ha estudiado el proceso de nucleación, la distribución de tensiones que aparece debido a la diferencia de parámetros de red y de coeficiente de expansión térmica que existe entre estos materiales, el proceso de aniquilación de dominios de antifase que aparecen por el hecho de crecer un material polar sobre uno no polar y se han realizado crecimientos a baja temperatura sobre substratos de sí también tratados a baja temperatura.


Tipo de documento:Tesis Doctoral
Información Adicional:

Tesis de la Universidad Complutense de Madrid, Facultad de Ciencias Físicas, Departamento de Física de Materiales, leída el 05-07-1991

Directores (o tutores):
NombreEmail del director (o tutor)
González Sotos, Luisa
Palabras clave:Propiedades de materiales Semiconductores Tecnología de materiales Ciencias Tecnológicas Física del estado sólido Física
Materias:Ciencias > Física > Física de materiales
Ciencias > Física > Física del estado sólido
Código ID:1871
Depositado:25 Oct 2004
Última Modificación:17 Mar 2011 13:10

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