Biblioteca de la Universidad Complutense de Madrid

Aplicacion de la tecnica ALMBE a los sistemas epitaxiales GaAsnAlGaAs, n-GaAsInGaAs y AlAsInAsGaAs para dispositivos HEMT

Impacto



Vázquez López, Manuel (2002) Aplicacion de la tecnica ALMBE a los sistemas epitaxiales GaAsnAlGaAs, n-GaAsInGaAs y AlAsInAsGaAs para dispositivos HEMT. [Tesis Doctoral]

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Resumen

En esta memoria se presenta la obtención y caracterización de materiales semiconductores de movilidad electrónica y su aplicación a transistores de efecto campo. Para ello se ha utilizado la técnica epitaxial ALMBE (epitaxia por haces moleculares de capas atómicas para obtener epitaxias de alta calidad a bajas temperaturas de substrato en dos campos paralelos. Por un lado en heterouniones invertidas de alta movilidad y por otro lado, en unas nuevas heteroestructuras de alta movilidad electrónica en las que los materiales constituyentes tienen diferente parámetro de red. A lo largo de la memoria se describen las ventajas de estas estructuras sobre las convencionales. El trabajo se complementa con la fabricación de un transistor de efecto campo de alta movilidad electrónica (HEMT) a partir de las epitaxias obtenidas.


Tipo de documento:Tesis Doctoral
Información Adicional:

Tesis de la Universidad Complutense de Madrid, Facultad de Ciencias Físicas, Departamento de Física de Materiales, leída el 29-10-1991

Directores (o tutores):
NombreEmail del director (o tutor)
Briones Fernández-Pola, Fernando
Palabras clave:Electrónica Innovaciones tecnológicas
Materias:Ciencias > Física > Electrónica
Código ID:1872
Depositado:25 Oct 2004
Última Modificación:06 Feb 2014 07:32

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