Mendez Martín, Bianchi (2002) Estudio de la naturaleza y distribucion de defectos en obleas de GaAs mediante tecnicas de inyeccion de haces. Tesis PhD.
![[img]](/style/images/fileicons/application_pdf.png) | PDF 4Mb |
Abstract
Los estudios realizados sobre el gaas presentados en esta memoria aportan información acerca de la naturaleza de defectos (dislocaciones y defectos puntuales) en obleas de gaas semiconductor y gaas semiaislante. El empleo de la catodoluminiscencia (cl) y la microscopia electroacustica de barrido (meab) de forma combinada nos ha permitido obtener resultados nuevos tanto acerca de las posibilidades de aplicación de estas tecnicas a semiconductores III-v como sobre la caracterización de las obleas mencionadas de gaas. Asimismo se ha abordado el problema de la homogeneidad de las obleas de gaas monocristalinas desde nuevos puntos de vista, al emplear la microscopia electroacústica de barrido.
| Item Type: | Thesis (PhD) | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| Additional Information: | Tesis de la Universidad Complutense de Madrid, Facultad de Ciencias Físicas, Departamento de Física de Materiales, leída el 30-09-1991 | ||||
| Directors: |
| ||||
| Uncontrolled Keywords: | Física del estado sólido | ||||
| Subjects: | Sciences > Physics > Solid state physics | ||||
| ID Code: | 1876 | ||||
| Deposited On: | 25 Oct 2004 | ||||
| Last Modified: | 23 Mar 2011 11:01 |
Repository Staff Only: item control page
