Biblioteca de la Universidad Complutense de Madrid

Estudio de la naturaleza y distribucion de defectos en obleas de GaAs mediante tecnicas de inyeccion de haces

Impacto



Mendez Martín, Bianchi (2002) Estudio de la naturaleza y distribucion de defectos en obleas de GaAs mediante tecnicas de inyeccion de haces. [Tesis Doctoral]

[img] PDF
5MB


Resumen

Los estudios realizados sobre el gaas presentados en esta memoria aportan información acerca de la naturaleza de defectos (dislocaciones y defectos puntuales) en obleas de gaas semiconductor y gaas semiaislante. El empleo de la catodoluminiscencia (cl) y la microscopia electroacustica de barrido (meab) de forma combinada nos ha permitido obtener resultados nuevos tanto acerca de las posibilidades de aplicación de estas tecnicas a semiconductores III-v como sobre la caracterización de las obleas mencionadas de gaas. Asimismo se ha abordado el problema de la homogeneidad de las obleas de gaas monocristalinas desde nuevos puntos de vista, al emplear la microscopia electroacústica de barrido.


Tipo de documento:Tesis Doctoral
Información Adicional:

Tesis de la Universidad Complutense de Madrid, Facultad de Ciencias Físicas, Departamento de Física de Materiales, leída el 30-09-1991

Directores (o tutores):
NombreEmail del director (o tutor)
Piqueras de Noriega, Javier
Palabras clave:Física del estado sólido
Materias:Ciencias > Física > Física del estado sólido
Código ID:1876
Depositado:25 Oct 2004
Última Modificación:23 Mar 2011 10:01

Sólo personal del repositorio: página de control del artículo