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Abstract

En este trabajo se realiza el estudio de las propiedades ópticas de dos conjuntos de semiconductores iii-v: aleaciones y superredes. Para ello las técnicas utilizadas son aquellas sensibles a los diferentes procesos de absorción o transiciones ópticas directas en el espacio de momentos, estas tecnicas fueron la elipsometría espectral y un conjunto de espectroscopías de modulación: piezorreflectancia, electrorreflectancia y fotorreflectancia. El estudio realizado en las aleaciones esta enfocado en la variación con la composición de al de las transiciones eo y es en dos tipos de aleaciones: arinas y algap. Por otra parte se efectúa un estudio similar, en varios conjuntos de superredes semiconductoras. Las superredes estudiadas abarcan desde superredes gaas/alas con prácticamente nulo desajuste en su parámetro de red. Hasta las superredes inas/alas de capas altamente tensionadas debido al fuerte desajuste de red entre sus constituyentes, pasando por el caso intermedio de las superredes gaas/gap. Los datos experimentales relativos a la transición e1 se explican teniendo en cuenta la importancia relativa de efectos de confinamiento y efectos de las tensiones. Por ultimo, en superredes inas/apas se establece el valor del band-offset en este tipo de heterouniones.