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Efectos de una cinética bidimensional de crecimiento sobre la incorporación de impurezas y estructura de semiconductores III-V epitaxiados por haces moleculares

Silveira Martín, Juan Pedro (2002) Efectos de una cinética bidimensional de crecimiento sobre la incorporación de impurezas y estructura de semiconductores III-V epitaxiados por haces moleculares. [Thesis]

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Abstract

La utilización de una cinética de crecimiento bidimensional en la epitaxia por haces moleculares ha permitido la obtención de capas de gas impurificada con silicio, alcanzándose niveles de densidad de portadores de hasta 2 x 10(19) cm-3. Este límite es debido a la existencia del centro dx, que ancla el nivel de ferni. Una caracterización óptica y eléctrica de este tipo de capas muestra la existencia de defectos de alta impurificación (vacantes de galio-silicio donador, vacante de arsenico-silicio aceptor) sin embargo, la densidad de los mismos no supera 2 x 10(18) cm-3, es decir, menor de un 10% de la densidad de electrones. La aplicación de esta cinética a la obtención de capas con fuerte desajuste de red y de condiciones de crecimiento muy diferentes (inas y alas) ha sido estudiada, observándose una asimetría en el crecimiento de un semiconductor sobre el otro y viceversa. Posteriormente se han obtenido superredes con estos dos materiales.


Item Type:Thesis
Additional Information:

Tesis de la Universidad Complutense de Madrid, Facultad de Ciencias Físicas, Departamento de Física de Materiales, leída el 18-12-1992

Directors:
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Castaño Palazón, José Luis
Uncontrolled Keywords:Electrónica
Subjects:Sciences > Physics > Electronics
ID Code:1882
Deposited On:25 Oct 2004
Last Modified:06 Feb 2014 07:32

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