Biblioteca de la Universidad Complutense de Madrid

Efectos de una cinética bidimensional de crecimiento sobre la incorporación de impurezas y estructura de semiconductores III-V epitaxiados por haces moleculares

Impacto



Silveira Martín, Juan Pedro (2002) Efectos de una cinética bidimensional de crecimiento sobre la incorporación de impurezas y estructura de semiconductores III-V epitaxiados por haces moleculares. [Tesis Doctoral]

[img]
Vista previa
PDF
6MB


Resumen

La utilización de una cinética de crecimiento bidimensional en la epitaxia por haces moleculares ha permitido la obtención de capas de gas impurificada con silicio, alcanzándose niveles de densidad de portadores de hasta 2 x 10(19) cm-3. Este límite es debido a la existencia del centro dx, que ancla el nivel de ferni. Una caracterización óptica y eléctrica de este tipo de capas muestra la existencia de defectos de alta impurificación (vacantes de galio-silicio donador, vacante de arsenico-silicio aceptor) sin embargo, la densidad de los mismos no supera 2 x 10(18) cm-3, es decir, menor de un 10% de la densidad de electrones. La aplicación de esta cinética a la obtención de capas con fuerte desajuste de red y de condiciones de crecimiento muy diferentes (inas y alas) ha sido estudiada, observándose una asimetría en el crecimiento de un semiconductor sobre el otro y viceversa. Posteriormente se han obtenido superredes con estos dos materiales.


Tipo de documento:Tesis Doctoral
Información Adicional:

Tesis de la Universidad Complutense de Madrid, Facultad de Ciencias Físicas, Departamento de Física de Materiales, leída el 18-12-1992

Directores (o tutores):
NombreEmail del director (o tutor)
Castaño Palazón, José Luis
Palabras clave:Electrónica
Materias:Ciencias > Física > Electrónica
Código ID:1882
Depositado:25 Oct 2004
Última Modificación:06 Feb 2014 07:32

Sólo personal del repositorio: página de control del artículo