Mazuelas Esteban, Ángel (2002) Caracterización por difracción de rayos X de heteroestructuras de semiconductores III-V : aplicación al diseño de superredes tensadas para epitaxias de GaAs-Si. Tesis PhD.
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Abstract
Esta tesis doctoral presenta resultados experimentales de caracterización de heteroestructuras de semiconductores III-v crecidos sobre substratos de gaas por mbe. Se presenta una descripción completa de la difracción de rayos x como herramienta de caracterización de materiales. Se ha aplicado a diversas estructuras tanto sin tensiones como pensionadas. Se han determinado los espesores críticos de diversos semiconductores III-v. Se han estudiado diversos tipos de superredes tensadas. Por ultimo, los estudios anteriores se sintetizan en una propuesta de superred tensada para epitaxias de gaas/si.
| Item Type: | Thesis (PhD) | ||||
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| Additional Information: | Tesis de la Universidad Complutense de Madrid, Facultad de Ciencias Físicas, Departamento de Física de Materiales, leída el 17-12-1992 | ||||
| Directors: |
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| Uncontrolled Keywords: | Física del estado sólido | ||||
| Subjects: | Sciences > Physics > Solid state physics | ||||
| ID Code: | 1895 | ||||
| Deposited On: | 25 Oct 2004 | ||||
| Last Modified: | 22 Mar 2011 14:59 |
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