Biblioteca de la Universidad Complutense de Madrid

Caracterización por difracción de rayos X de heteroestructuras de semiconductores III-V : aplicación al diseño de superredes tensadas para epitaxias de GaAs-Si

Impacto



Mazuelas Esteban, Ángel (2002) Caracterización por difracción de rayos X de heteroestructuras de semiconductores III-V : aplicación al diseño de superredes tensadas para epitaxias de GaAs-Si. [Tesis Doctoral]

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Resumen

Esta tesis doctoral presenta resultados experimentales de caracterización de heteroestructuras de semiconductores III-v crecidos sobre substratos de gaas por mbe. Se presenta una descripción completa de la difracción de rayos x como herramienta de caracterización de materiales. Se ha aplicado a diversas estructuras tanto sin tensiones como pensionadas. Se han determinado los espesores críticos de diversos semiconductores III-v. Se han estudiado diversos tipos de superredes tensadas. Por ultimo, los estudios anteriores se sintetizan en una propuesta de superred tensada para epitaxias de gaas/si.


Tipo de documento:Tesis Doctoral
Información Adicional:

Tesis de la Universidad Complutense de Madrid, Facultad de Ciencias Físicas, Departamento de Física de Materiales, leída el 17-12-1992

Directores (o tutores):
NombreEmail del director (o tutor)
González Sotos, Luisa
Palabras clave:Física del estado sólido
Materias:Ciencias > Física > Física del estado sólido
Código ID:1895
Depositado:25 Oct 2004
Última Modificación:22 Mar 2011 13:59

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