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Caracterización por difracción de rayos X de heteroestructuras de semiconductores III-V : aplicación al diseño de superredes tensadas para epitaxias de GaAs-Si

Mazuelas Esteban, Ángel (2002) Caracterización por difracción de rayos X de heteroestructuras de semiconductores III-V : aplicación al diseño de superredes tensadas para epitaxias de GaAs-Si. Tesis PhD.

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Abstract

Esta tesis doctoral presenta resultados experimentales de caracterización de heteroestructuras de semiconductores III-v crecidos sobre substratos de gaas por mbe. Se presenta una descripción completa de la difracción de rayos x como herramienta de caracterización de materiales. Se ha aplicado a diversas estructuras tanto sin tensiones como pensionadas. Se han determinado los espesores críticos de diversos semiconductores III-v. Se han estudiado diversos tipos de superredes tensadas. Por ultimo, los estudios anteriores se sintetizan en una propuesta de superred tensada para epitaxias de gaas/si.

Item Type:Thesis (PhD)
Additional Information:Tesis de la Universidad Complutense de Madrid, Facultad de Ciencias Físicas, Departamento de Física de Materiales, leída el 17-12-1992
Directors:
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González Sotos, LuisaUNSPECIFIED
Uncontrolled Keywords:Física del estado sólido
Subjects:Sciences > Physics > Solid state physics
ID Code:1895
Deposited On:25 Oct 2004
Last Modified:22 Mar 2011 13:59

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