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Abstract

El trabajo presenta un estudio de la cinética de obtención de óxidos de semiconductor y semimetal en lámina delgada. Se utilizan dos procedimientos experimentales, la deposición de láminas por ablación láser y la irradiación de materiales con láser, ambos en atmósfera reactiva de oxígeno. El trabajo establece una unión entre la cinética del proceso de obtención de los óxidos y sus propiedades ópticas y de estegniometría. Se han utilizado medidas ópticas en tiempo real para seguir "dinámicamente" el proceso de formación y crecimiento del óxido y medidas ópticas y de haces de iones (rbs,nra) para caracterizar sus propiedades. Los resultados muestran los mecanismos responsables de las propiedades observadas en los procesos de obtención y en los óxidos: presencia de especies energéticas, relación de flujos de átomos en el substrato, activación en fase liquida y cambio dinámico de propiedades ópticas.