Universidad Complutense de Madrid
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Implantación iónica en InP para aplicaciones en dispositivos

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Martín Pacheco, Jaime Miguel (2002) Implantación iónica en InP para aplicaciones en dispositivos. [Thesis]

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Abstract

La presente tesis muestra en primer lugar los sistemas de control diseñados y desarrollados para conseguir el perfecto funcionamiento del implantador de la facultad de físicas. Se presenta luego un completo estudio de la obtención por implantación de capas tipo n (por implantaciones de si y si/p), tipo p (con mg, mg/p o mg/ar) y capas de alta resistividad (por he y ti) en inp, tanto desde el punto de vista eléctrico (medidas de resistividad y efecto hall y de sims) como óptico (por fotoluminiscencia y espectroscopia raman). Finalmente, se describen las características en continua y alterna de uniones schottky y p-n, realizadas por implantación tanto en sustratos semiaislantes como en sustratos con conductividad tipo n o p. Las medidas en alterna incluyeron las técnicas de espectroscopia de admitancias y dlts, y pusieron de manifiesto la aparición de varios niveles profundos debidos al tratamiento de rta aplicado, asi como otros debidos a defectos introducidos por la implantación.


Item Type:Thesis
Additional Information:

Tesis la Universidad Complutense de Madrid, Facultad de Ciencias Físicas, Departamento de Física Aplicada III (Electricidad y Electrónica), leída el 25-01-1995

Directors:
DirectorsDirector email
González Díaz, Germán
Uncontrolled Keywords:Telecomunicaciones
Subjects:Sciences > Computer science > Telecommunication
Sciences > Physics > Electricity
ID Code:1940
Deposited On:25 Oct 2004
Last Modified:10 Dec 2018 14:58

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