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Neutron-Induced single events in a COTS soft-error free SRAM at low bias voltage
Sucesos Aislados inducidos por neutrones en una memoria estática de acceso aleatorio comercial a tensiones ultrabajas

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Clemente Barreira, Juan Antonio y Franco Peláez, Francisco Javier y Vila, Francesca y Baylac, Maud y Ramos Vargas, Pablo Francisco y Vargas Vallejo, Vanessa Carolina y Mecha López, Hortensia y Agapito Serrano, Juan Andrés y Velazco, Raoul (2015) Neutron-Induced single events in a COTS soft-error free SRAM at low bias voltage. In 15th European Conference on Radiation and Its Effects on Components and Systems (RADECS) 2015. IEEE-Inst Electrical Electronics Engineers Inc, pp. 162-165. ISBN 978-1-5090-0232-0

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URL Oficial: http://dx.doi.org/10.1109/RADECS.2015.7365640


URLTipo de URL
http://www.radecs2015.orgSIN ESPECIFICAR
http://ieeexplore.ieee.org/Editorial


Resumen

This paper presents an experimental study of the sensitivity to 15-MeV neutrons at low bias voltage of advanced low-power SRAMs by Renesas Electronics. The most interesting results are the occurrence of clusters of bitflips, hard errors only visible at low voltage, appearing along with single event upsets. The physical mechanisms are briefly discussed.


Tipo de documento:Sección de libro
Información Adicional:

©IEEE 2015
European Conference on Radiation and Its Effects on Components and Systems (RADECS 2015) (15. 2015. Moscú).
Date of Conference: 14-18 Sept. 2015

Palabras clave:COTS; LPSRAM; Neutron tests; Radiation hardness; Reliability; Soft error; SRAM
Materias:Ciencias > Física > Electrónica
Ciencias > Física > Radiactividad
Ciencias > Informática > Circuitos integrados
Código ID:34157
Depositado:19 Ene 2016 16:29
Última Modificación:19 Ene 2016 16:56

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