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Statistical anomalies of bitflips in SRAMs to discriminate MCUs from SEUs
Anomalías estadísticas de los bits corruptos en memorias estáticas de acceso aleatorio para distinguir eventos múltiples de simples.

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Clemente Barreira, Juan Antonio y Franco Peláez, Francisco Javier y Villa, Francesca y Rey, Sole y Baylac, Maud y Mecha López, Hortensia y Agapito Serrano, Juan Andrés y Puchner, Helmut y Hubert, Guillaume y Velazco, Raoul (2015) Statistical anomalies of bitflips in SRAMs to discriminate MCUs from SEUs. In 15th European Conference on Radiation and Its Effects on Components and Systems (RADECS) 2015. IEEE-Inst Electrical Electronics Engineers Inc, pp. 507-510. ISBN 978-1-5090-0232-0

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URL Oficial: http://dx.doi.org/10.1109/RADECS.2015.7365670


URLTipo de URL
http://www.radecs2015.orgSIN ESPECIFICAR
http://ieeexplore.ieee.org/Editorial


Resumen

This paper presents an approach to discern MCUs from SEUs in SRAM memories. Experiments involving radiation tests with 14-MeV neutrons on two successive generations (130 and 90 nm) of Cypress devices are presented.


Tipo de documento:Sección de libro
Información Adicional:

©IEEE 2015
European Conference on Radiation and Its Effects on Components and Systems (RADECS 2015) (15. 2015. Moscú).
Date of Conference: 14-18 Sept. 2015

Palabras clave:SRAMs; Single event upsets; Multiple cell upsets; Neutron tests
Materias:Ciencias > Física > Electrónica
Ciencias > Física > Radiactividad
Ciencias > Informática > Circuitos integrados
Código ID:34217
Depositado:19 Ene 2016 17:00
Última Modificación:20 Ene 2016 08:15

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