Biblioteca de la Universidad Complutense de Madrid

Caracterización "in situ" de la morfología y los procesos de relajación durante el crecimiento mediante epitaxia por haces moleculares de heteroestructuras de semiconductores III-V

Impacto



González Sagardoy, María Ujué (2004) Caracterización "in situ" de la morfología y los procesos de relajación durante el crecimiento mediante epitaxia por haces moleculares de heteroestructuras de semiconductores III-V. [Tesis Doctoral]

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Resumen

En este trabajo de tesis doctoral se ha abordado el estudio in situ de dos aspectos fundamentales en el crecimiento de sistemas heteroepitaxiales con diferencia de parámetros de red: los procesos de relajación y la evolución de la morfología. Para llevar a cabo el seguimiento de la morfología hemos utilizado la técnica de dispersión de luz, mientras que la evolución de la relajación ha sido determinada mediante la monitorización óptica, a través de la deflexión de un haz láser, de la curvatura inducida en el substrato por la tensión a que se ve sometida la capa. Puesto que los mecanismos que intervienen en la relajación de los sistemas y en la evolución de la morfología dependen de que la diferencia de parámetros de red entre los constituyentes del sistema heteropitaxial sea grnede (***) o pequeña (***), hemos analizado ambos tipos de sistemas. En concreto, hemos estudiado el sistema In0,2Ga0,8As/GaAs (001) (*** ), que se caracteriza porque la relajación se produce mediante la formación de una red ordenada de dislocaciones de desacople en la intercara y por el desarrollo en la intercara y por el desarrollo en la superficie de una morfología de surcos entrecruzados, y el sistema InAs/InP (001) (***), donde la relajación se produce de manera elástica a través de la formación de hilos cuánticos


Tipo de documento:Tesis Doctoral
Información Adicional:

Tesis de la Universidad Complutense de Madrid, Facultad de Ciencias Físicas, Departamento de Física de Materiales, leída el 11-11-2002

Directores (o tutores):
NombreEmail del director (o tutor)
González Díaz, Yolanda
González Sotos, Luisa
Palabras clave:Haces moleculares Semiconductores
Materias:Ciencias > Física > Física de materiales
Código ID:4451
Depositado:17 May 2005
Última Modificación:06 Feb 2014 07:41

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