Biblioteca de la Universidad Complutense de Madrid

Transiciones de fase y fenómenos colectivos en la interfase 1-3 ML-Sn - Ge (111)

Impacto



Cortés Rodríguez, Rocío (2009) Transiciones de fase y fenómenos colectivos en la interfase 1-3 ML-Sn - Ge (111). [Tesis Doctoral]

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Resumen

En este trabajo se ha estudiado la interfase 1/3 ML-SnGe(111) mediante PES, STM y LEED. Esta interfase es un sistema modelo para el estudio de las correlaciones electrónicas en física del estado sólido.El estudio de la estructura electrónica cerca del nivel de Fermi de la fase (3x3) entre 139 K y 60 K muestra que esta fase es metálica. La celda unidad de la reconstrucción (3×3) consiste un átomo de Sn desplazado hacia arriba y dos desplazados hacia abajo (modelo 1U2D). A partir de medidas de alta resolución del nivel interno Sn 4d en la fase (3x3) se obtiene una nueva deconvolución que pone fin a la controversia existente acerca de la interpretación de la forma de línea de este nivel interno. Tanto esta deconvolución como las imágenes de STM muestran la existencia de una estructura (3x3) en la que los dos átomos en posición abajo de la celda unidad son inequivalentes (estructura IDA-(3×3)).Este sistema también se ha estudiado a temperaturas inferiores a ~30 K. Esto ha permitido observar la aparición de una fase de simetría (√3×√3)R30º (fase LT-√3). Se trata de un aislante de Mott bidimensional. Por último, el estudio de la evolución con la temperatura entre las fases IDA-(3×3) metálica y LT-√3 aislante de Mott muestra la existencia de una transición de fase intermedia a ~60 K. En ella se forma una fase aislante con estructura (3×3) (fase LT-(3×3)) diferente a la IDA-(3x3). La fase LT-(3×3) es aislante y tiene una zona de energía prohibida un orden de magnitud menor que la correspondiente a la fase LT-√3. El origen de esta nueva fase se debe a las correlaciones electrónicas, que dan lugar a un ordenamiento de la carga en los átomos de Sn en posición abajo.


Tipo de documento:Tesis Doctoral
Información Adicional:

Tesis de la Universidad Complutense de Madrid, Facultad de Ciencias Físicas, Departamento de Física de Materiales, leída el 12-02-2009

Directores (o tutores):
NombreEmail del director (o tutor)
Mascaraque Susunaga, Arantzazu
Palabras clave:Superficies, Correlaciones electrónicas, Aislantes de Mott
Materias:Ciencias > Física > Superficies (Física)
Código ID:9396
Depositado:07 Sep 2009 07:11
Última Modificación:15 Feb 2011 14:38

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