Universidad Complutense de Madrid
E-Prints Complutense

Consultar por Autor

Subir un nivel
Exportar como [feed] Atom [feed] RSS 1.0 [feed] RSS 2.0
Número de eprints: 9.

Wang, K. y Martin, R. W. y Nogales Díaz, Emilio y Edwards, P. R. y O’Donnell, K. P. y Lorenz, K. y Alves, E. y Watson, I. M. (2006) Cathodoluminescence of rare earth implanted AllnN. Applied physics letters, 89 (13). ISSN 0003-6951

Nogales Díaz, Emilio y Hidalgo Alcalde, Pedro y Lorenz, K. y Méndez Martín, Bianchi y Piqueras de Noriega, Javier y Alves, E. (2011) Cathodoluminescence of rare earth implanted Ga_2O_3 and GeO_2 nanostructures. Nanotechnology, 22 (28). ISSN 0957-4484

Nogales Díaz, Emilio y López, I. y Méndez Martín, Bianchi y Piqueras de Noriega, Javier y Lorenz, K. y Alves, E. y García, J.A. (2012) Doped gallium oxide nanowires for photonics. In Oxide-based materials and devices III. Proceedings- Spie the International Society for Optical Engineering (8263). Spie-int soc optical engineering. ISBN 978-0-8194-8906-7

Catarino, N. y Nogales, E. y Franco, N. y Darakchieva, V. y Miranda, S.M.C. y Mendez Martín, Bianchi y Alves, E. y Marques, J.F. y Lorenz, K. (2012) Enhanced dynamic annealing and optical activation of Eu implanted a-plane GaN. EPL, 97 (6). ISSN 0295-5075

Nogales Díaz, Emilio y Martin, R. V. y O'Donnell, K. P. y Lorenz, K. y Alves, E. y Ruffenach, S. y Briot, O. (2006) Failure mechanism of AlN nanocaps used to protect rare earth-implanted GaN during high temperature annealing. Applied physics letters, 8 (3). ISSN 0003-6951

Lorenz, K. y Nogales Díaz, Emilio y Nédélec, R. y Penner, J. y Vianden, R. y Alves, E. y Martin, R.W. y O`Donnell, K.P. (2006) Influence of the annealing ambient on structural and optical properties of rare earth implanted GaN. In GaN, AIN, InN related materials. MRS online Proceedings Library (892). Materials Research Soc. ISBN 1-55899-846-2

Wang, K. y Martin, R. W. y O’Donnell, K. P. y Katchkanov, V. y Nogales Díaz, Emilio y Lorenz, K. y Alves, E. y Ruffenach, S. y Briot, O. (2005) Selectively excited photoluminescence from Eu-implanted GaN. Applied physics letters, 87 (11). ISSN 0003-6951

López, Iñaqui y Lorenz, K. y Nogales Díaz, Emilio y Méndez Martín, Bianchi y Piqueras de Noriega, Javier y Alves, E. y García, J. A. (2014) Study of the relationship between crystal structure and luminescence in rare-earth-implanted Ga_2O_3 nanowires during annealing treatments. Journal of Materials Science, 49 (3). pp. 1279-1285. ISSN 0022-2461

Nogales Díaz, Emilio y García, J. A. y Méndez Martín, Bianchi y Piqueras de Noriega, Javier y Lorenz, K. y Alves, E. (2008) Visible and infrared luminescence study of Er doped β-Ga_2O_3 and Er_3 Ga_5O_12. Journal of Physics D: Applied Physics, 41 (6). ISSN 0022-3727

Esta lista fue generada el Mon Dec 11 03:11:56 2017 CET.