Universidad Complutense de Madrid
E-Prints Complutense

Consultar por Autor

Subir un nivel
Exportar como [feed] Atom [feed] RSS 1.0 [feed] RSS 2.0
Número de eprints: 6.

González Díaz, Germán y Artús, L. y Blanco, N. y Cuscó, R. y Ibáñez, J. y Long, A.R. y Rahman, M. (2000) Comparison of Raman-scattering and Shubnikov-de Haas measurements to determine charge density in doped semiconductors. Journal of Applied Physics, 88 (11). pp. 6567-6570. ISSN 0021-8979

González Díaz, Germán y Blanco, N. y Artús, L. y Cuscó, R. y Ibáñez, J. (1999) Raman scattering by LO phonon-plasmon coupled modes in n-type InP. Physical Review B, 60 (8). pp. 5456-5463. ISSN 0163-1829

González Díaz, Germán y Martín, J.M. y Artús, L. y Cuscó, R. y Ibañez, J. (1997) Raman-scattering criteria for characterization of anneal-restored zinc blende single crystals: Application to Si+-implanted InP. Journal of Applied Physics, 82 (8). pp. 3736-3739. ISSN 0021-8979

González Díaz, Germán y Artús, L. y Blanco, N y Cuscó, R. y Hernández, S. (2003) Study of the electrical activation of Si+-implanted InGaAs by means of Raman scattering. Journal of Applied Physics, 93 (5). pp. 2659-2662. ISSN 0021-8979

González Díaz, Germán y Artús, L. y Calleja, E. y Cuscó, R. y Iborra, E. y Jiménez, J. y Pastor, D. y Peiró, F. (2006) The effect of substrate on high-temperature annealing of GaN epilayers: Si versus sapphire. Journal of Applied Physics, 100 (4). ISSN 0021-8979

González Díaz, Germán y Martín, J.M. y Artús, L. y Cuscó, R. (1994) Up to fifth-order Raman scattering of InP under nonresonant conditions. Physical Review B, 50 (16). pp. 11552-11555. ISSN 0163-1829

Esta lista fue generada el Sat Sep 23 20:29:45 2017 CEST.