Biblioteca de la Universidad Complutense de Madrid

Consultar por Autor

Subir un nivel
Exportar como [feed] Atom [feed] RSS 1.0 [feed] RSS 2.0
Número de eprints: 24.

Pérez, E. y Dueñas, S. y Castán, H. y García, H. y Bailón, L. y Montero, D. y García Hernansanz, Rodrigo y García Hemme, Eric y Olea, J. y González Díaz, Germán (2015) A detailed analysis of the energy levels configuration existing in the band gap of supersaturated silicon with titanium for photovoltaic applications. Journal of applied physics, 118 (24). ISSN 0021-8979

García Hemme, Eric (2011) Caracterización optoelectrónica de láminas de silicio implantadas con titanio (Optoelectronic characterization of titanium implanted silicon thin films). [Trabajo Fin de Máster]

García Hernansanz, Rodrigo y García Hemme, Eric y Montero Álvarez, Daniel y Prado Millán, Álvaro del y Olea Ariza, Javier y San Andres Serrano, Enrique y Mártil de la Plaza, Ignacio y González Díaz, Germán (2016) Deposition of Intrinsic a-Si:H by ECR-CVD to Passivate the Crystalline Silicon Heterointerface in HIT Solar Cells. IEEE journal of photovoltaics, 6 (5). ISSN 2156-3381

Mártil de la Plaza, Ignacio y García Hemme, Eric y García Hernansanz, Rodrigo y González Díaz, Germán y Olea Ariza, Javier y Prado Millán, Álvaro del (2013) Double ion implantation and pulsed laser melting processes for third generation solar cells. International Journal of Photoenergy, 2013 . ISSN 1110-662x

García Hemme, Eric y Yu, K. M. y Wahnon, P. y González Díaz, Germán y Walukiewicz, W. (2015) Effects of the d-donor level of vanadium on the properties of Zn_(1-x)V_(x)O films. Applied physics letters, 106 (18). ISSN 0003-6951

Castán, Helena y Pérez, Eduardo y Dueñas, Salvador y Bailón, Luis y Olea Ariza, Javier y Pastor Pastor, David y García Hemme, Eric y Irigoyen Irigoyen, Maite y González Díaz, Germán (2012) Electrical Properties of Intermediate Band (IB) Silicon Solar Cells Obtained by Titanium Ion Implantation. In ION IMPLANTATION TECHNOLOGY 2012: Proceedings of the 19th International Conference on Ion Implantation Technology. AIP Conference proceedingsro . American Institute of Physics (AIP), pp. 189-192. ISBN 978-0-7354-1109-8

Mártil de la Plaza, Ignacio y García Hemme, Eric y García Hernansanz, Rodrigo y González Díaz, Germán y Olea Ariza, Javier y Prado Millán, Álvaro del (2013) Electrical decoupling effect on intermediate band Ti-implanted silicon layers. Journal of Physics D-Applied Physics, 46 (13). ISSN 0022-3727

Mártil de la Plaza, Ignacio y García Hemme, Eric y García Hernansanz, Rodrigo y González Díaz, Germán y Olea Ariza, Javier y Prado Millán, Álvaro del (2013) Electrical properties of silicon supersaturated with titanium or vanadium for intermediate band material. In Proceedings of the 2013 Spanich Conference on Electron Devices (CDE 2013). Spanish Conference on Electron Devices . IEEE, pp. 377-380. ISBN 978-1-4673-4666-5

Pérez, E. y Castán, H. y García, H. y Dueñas, S. y Bailón, L. y Montero Álvarez, Daniel y García-Hernansanz, R. y García Hemme, Eric y Olea Ariza, Javier y González Díaz, Germán (2015) Energy levels distribution in supersaturated silicon with titanium for photovoltaic applications. Applied physics letters, 106 (2). ISSN 0003-6951

González Díaz, Germán y García Hemme, Eric y Olea Ariza, Javier y Pastor Pastor, David y Bailón, L. y Castán, H. y Dueñas, S. y García, H. y Pérez, E. (2013) Experimental verification of intermediate band formation on titanium-implanted silicon. Journal of Applied Physics, 113 (2). ISSN 0021-8979

Mártil de la Plaza, Ignacio y García Hemme, Eric y García Hernansanz, Rodrigo y González Díaz, Germán y Olea Ariza, Javier y Prado Millán, Álvaro del (2013) Far infrared photoconductivity in a silicon based material: Vanadium supersaturated silicon. Applied physics Letters, 103 (3). ISSN 0003-6951

Mártil de la Plaza, Ignacio y García Hemme, Eric y García Hernansanz, Rodrigo y González Díaz, Germán y Olea Ariza, Javier y Prado Millán, Álvaro del (2013) Hydrogenated amorphous silicon deposited by high pressure sputtering for HIT solar cells. In Proceedings of the 2013 Spanisch Conference on Electron Devices. IEEE, pp. 337-340. ISBN 978-1-4673-4666-5

García Hemme, Eric y Montero Álvarez, Daniel y García Hernansanz, Rodrigo y Olea Ariza, Javier y Mártil de la Plaza, Ignacio y González Díaz, Germán (2016) Insulator-to-metal transition in vanadium supersaturated silicon: variable-range hopping and Kondo effect signatures. Journal of physics D: applied physics, 49 (27). ISSN 0022-3727

Mártil de la Plaza, Ignacio y García Hemme, Eric y García Hernansanz, Rodrigo y González Díaz, Germán y Olea Ariza, Javier y Prado Millán, Álvaro del (2012) Ion Implantation and Pulsed Laser Melting Processing for the Development of an Intermediate Band Material. In Ion Implantation Technology. American Institute of Physics, pp. 54-57.

García Hernansanz, Rodrigo y García Hemme, Eric y Montero Álvarez, Daniel y Olea Ariza, Javier y San Andres Serrano, Enrique y Prado Millán, Álvaro del y Ferrer, F. J. y Mártil de la Plaza, Ignacio y González Díaz, Germán (2016) Limitations of high pressure sputtering for amorphous silicon deposition. Materials research express, 3 (3). ISSN 2053-1591

Mártil de la Plaza, Ignacio y García Hemme, Eric y García Hernansanz, Rodrigo y González Díaz, Germán y Olea Ariza, Javier y Prado Millán, Álvaro del (2012) Low temperature intermediate band metallic behavior in Ti implanted Si. Thin Solid Films, 520 (21). pp. 6614-6618. ISSN 0040-6090

García Hemme, Eric y García Hernansanz, Rodrigo y Olea Ariza, Javier y Pastor Pastor, David y Prado Millán, Álvaro del y Mártil de la Plaza, Ignacio y González Díaz, Germán (2015) Meyer Neldel rule application to silicon supersaturated with transition metals. Journal of physics D: applied physics, 48 (7). ISSN 0022-3727

García Hemme, Eric (2015) Respuesta infrarroja en silicio mediante implantación iónica de metales en transición. [Tesis Doctoral]

Olea Ariza, Javier y López, E. y Antolín, E. y Martí, A. y Luque, A. y García Hemme, Eric y Pastor, D. y García Hernansanz, Rodrigo y Prado Millán, Álvaro del y González Díaz, Germán (2016) Room temperature photo-response of titanium supersaturated silicon at energies over the bandgap. Journal of physics D: applied physics, 49 (5). ISSN 0022-3727

Mártil de la Plaza, Ignacio y García Hemme, Eric y García Hernansanz, Rodrigo y González Díaz, Germán y Olea Ariza, Javier y Pastor Pastor, David y Prado Millán, Álvaro del (2014) Room-temperature operation of a titanium supersaturated silicon-based infrared photodetector. Applied physics letters, 104 (21). ISSN 0003-6951

Mártil de la Plaza, Ignacio y García Hemme, Eric y García Hernansanz, Rodrigo y González Díaz, Germán y Olea Ariza, Javier y Prado Millán, Álvaro del (2013) Ruling out the impact of defects on the below band gap photoconductivity of Ti supersaturated Si. Journal of Applied Physics, 114 (5). ISSN 0021-8979

Mártil de la Plaza, Ignacio y García Hemme, Eric y García Hernansanz, Rodrigo y González Díaz, Germán y Olea Ariza, Javier y Prado Millán, Álvaro del (2012) Sub-bandgap spectral photo-response analysis of Ti supersaturated Si. Applied physics Letters, 101 (19). ISSN 0003-6951

Mártil de la Plaza, Ignacio y García Hemme, Eric y García Hernansanz, Rodrigo y González Díaz, Germán y Olea Ariza, Javier y Prado Millán, Álvaro del (2013) The intermediate band approach in the third solar cell generation context. In Proceedings of the 2013 Spanish Conference on Electron Devices. IEEE, pp. 297-300. ISBN 978-1-4673-4666-5

Mártil de la Plaza, Ignacio y García Hemme, Eric y González Díaz, Germán y Olea Ariza, Javier y Prado Millán, Álvaro del (2011) UV and visible Raman scattering of ultraheavily Ti implanted Si layers for intermediate band formation. Semiconductor Science and Technology, 26 (11). ISSN 0268-1242

Esta lista fue generada el Sun Dec 11 03:06:07 2016 CET.