Biblioteca de la Universidad Complutense de Madrid

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Número de eprints: 7.

González Díaz, Germán y Martín, J.M. y Barbolla, J. y Castán, E. y Dueñas, S. y Pinacho, R. y Quintanilla, L. (1997) Deep levels in p(+)-n junctions fabricated by rapid thermal annealing of Mg or Mg/P implanted InP. Journal of Applied Physics, 81 (7). pp. 3143-3150. ISSN 0021-8979

Mártil de la Plaza, Ignacio y González Díaz, Germán y García, S. y Martín, J.M. (1998) Dependence of the physical properties of SiNx : H films deposited by the ECR plasma method on the discharge size. Thin Solid Films, 315 (01-02). pp. 22-28. ISSN 0040-6090

Mártil de la Plaza, Ignacio y González Díaz, Germán y García, S. y Martín, J.M. y Fernández, M. (1998) Deposition of low temperature Si-based insulators by the electron cyclotron resonance plasma method. Thin Solid Films, 317 (01-02). pp. 116-119. ISSN 0040-6090

Mártil de la Plaza, Ignacio y González Díaz, Germán y Martín, J.M. y García, S. (1998) Experimental verification of the physics and structure of the Bipolar Junction Transistor. IEEE Transactions on Education, 41 (3). pp. 224-228. ISSN 0018-9359

González Díaz, Germán y Martín, J.M. y Artús, L. y Cuscó, R. y Ibañez, J. (1997) Raman-scattering criteria for characterization of anneal-restored zinc blende single crystals: Application to Si+-implanted InP. Journal of Applied Physics, 82 (8). pp. 3736-3739. ISSN 0021-8979

González Díaz, Germán y Martín, J.M. y Artús, L. y Cuscó, R. (1994) Up to fifth-order Raman scattering of InP under nonresonant conditions. Physical Review B, 50 (16). pp. 11552-11555. ISSN 0163-1829

Dabrio, Cristino J. y Martín, J.M. (1981) Yesos diagenéticos en la Depresión de Granada. Boletín de la Real Sociedad Española de Historia Natural. Sección geológica , 79 . pp. 215-223. ISSN 0583-7510

Esta lista fue generada el Sun Dec 11 03:02:43 2016 CET.