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Número de eprints: 1.

Ottaviani, L. y Yakimov, E. y Hidalgo Alcalde, Pedro y Martinuzzi, S. (2004) Investigations of defects introduced in 4H-SiC n-type epitaxial layers by hydrogen DC plasma. Silicon Carbide and Related Materials 2003, Prts 1 and 2, 457-46 . pp. 509-512. ISSN 0255-5476

Esta lista fue generada el Tue Mar 26 20:23:33 2019 CET.