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Capas de SiGe policristalino hidrogenado y su aplicación en transistores de película delgada
Hydrogenated polycrystalline SiGe films and their application in Thin Film Transistors

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Mártil de la Plaza, Ignacio and San Andres Serrano, Enrique (2004) Capas de SiGe policristalino hidrogenado y su aplicación en transistores de película delgada. Boletín de la Sociedad Española de Cerámica y Vidrio, 43 (2). pp. 386-389. ISSN 0366-3175

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Official URL: http://ceramicayvidrio.revistas.csic.es/index.php/ceramicayvidrio/article/view/548/567




Abstract

En este trabajo se ha caracterizado el proceso de hidrogenación en un plasma generado por resonancia ciclotrónica de electrones de capas de SiGe policristalino obtenidas mediante cristalización en fase sólida y el efecto de la hidrogenación en las características eléctricas de transistores de película delgada fabricados usando dicho material. Los procesos de hidrogenación se realizaron a 150 y 250 ºC, con duraciones de hasta 11 horas. Los espectros de transmitancia en infrarrojo muestran solamente las bandas de absorción características de los enlaces Si-H. Estas bandas indican que el hidrógeno se incorpora al material enlazándose principalmente con los átomos de silicio. Las medidas de reflectancia en el ultravioleta indican que se crea daño en la superficie de la muestra y que éste aumenta a medida que lo hace el contenido en Ge. Los transistores de película delgada con capa activa de SiGe policristalino muestran un fenómeno de degradación consistente en que la corriente que atraviesa el canal disminuye con el tiempo manteniendo fijas las condiciones de polarización. La hidrogenación de los transistores hace que la degradación sea cada vez más lenta a medida que aumenta el tiempo de proceso en plasma a temperatura constante.

Resumen (otros idiomas)

The hydrogenation of polycrystalline SiGe layers, obtained by solid phase crystallization, by an electron ciclotron resonance hydrogen plasma and the influence of this hydrogenation process on the electrical characteristics of thin film transistors fabricated using this material as active layer have been studied The hydrogenation processes were carried out at 150 and 250 degreesC for several times, Lip to 11 hours. Infrared transmission spectra of these samples show only the absorption bands corresponding to Si-H bonds, indicating that hydrogen atoms are bonded mainly to silicon atoms. Ultraviolet reflectance measurements show that the surface damage caused by the plasma exposure increases as the Ge content of the film does. The transistors fabricated using polycrystalline SiGe films as active layer show a degradation phenomenon, consisting of a progressive decrease of the drain current at constant gate and drain Has. The degradation slows down as the hydrogenation time increases at constant temperature.

Item Type:Article
Additional Information:

National Congress of Materials (7. 2002. Madrid). © Sociedad Española de Cerámica y Vidrio, Consejo Superior de Investigaciones Científicas. Licencia Creative Commons 3.0 España (by-nc). Trabajo financiado por la CICYT, Proyecto MAT 99-1214.

Uncontrolled Keywords:SiGe Policristalino, Hidrogenación, Plasma ECR, Transistor de Película Delgada, Degradación.
Palabras clave (otros idiomas):Amorphous-Silicon. Germanium.
Subjects:Sciences > Physics > Electricity
Sciences > Physics > Electronics
ID Code:26075
Deposited On:10 Jul 2014 07:48
Last Modified:10 Dec 2018 14:58

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