Publication: Fenómenos de transporte en bismuto : Influencia de los Portadores bombeados a una banda metaestable
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2002
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Universidad Complutense de Madrid, Servicio de Publicaciones
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Abstract
En estos trabajos se ha medido el efecto nernst-ettingshausen en muestras policristalinas de bismuto y a partir de su estudio se han determinado los tiempos de relajación de los distintos portadores, sus masas efectivas y sus potenciales químicos. También se ha estudiado la evolución temporal del efecto termoeléctrico transverso en láminas gruesas de bismuto al ser irradiadas con pulsos láser de dos longitudes de onda distinta: una capaz de bombear portadores a una posible banda metaestable y otra no. Los resultados de este experimento corroboran la existencia de una banda metaestable en bismuto. Se ha desarrollado una técnica para la medida de señales fotoinducidas débiles y de corta duración. Utilizando esta técnica se ha detectado por primera vez un efecto fotoconductivo en bismuto. Además se ha encontrado un efecto de superficie debido al calentamiento no uniforme que produce el pulso láser.
Description
Tesis de la Universidad Complutense de Madrid, Facultad de Ciencias Físicas, Departamento de Óptica, leída el 16-05-1994