Publication: Architectures based on Ga₂O₃ micro- and nanowires with applications in photonics
Loading...
Official URL
Full text at PDC
Publication Date
2021-05-12
Authors
Advisors (or tutors)
Editors
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Universidad Complutense de Madrid
Citations
Exportar
Abstract
Transparent Conductive Oxides (TCOs) are materials which combine a very low absorption in the visible range of the electromagnetic spectrum with a moderate electrical conductivity. Among them, gallium oxide ( -Ga2O3) is one of the widest band gap semiconductors (almost 5 eV). Lately, this material is experiencing an exponential increase in its research interest, mainly due to two reasons: the better performance and lower cost of some high power electronic devices of Ga2O3 compared to the semiconductor giants SiC and AlN and the recent development of high quantum efficiency Ga2O3 deep-ultraviolet (deep-UV) photodetectors...
Los óxidos conductores transparentes (TCOs, por sus siglas en inglés) son materiales que combinan una baja absorción en el rango visible del espectro electromagnético con una conductividad eléctrica moderada. Perteneciente a la familia de los TCOs, el óxido de galio ( -Ga2O3) tiene uno de los mayores band gaps de todos los semiconductores (casi 5 eV). Últimamente, el interés científico sobre este material está aumentando exponencialmente por dos principales motivos: el desarrollo de dispositivos de Ga2O3 de alta potencia con mejores capacidades y menor coste que los semiconductores comerciales de este sector (SiC y AlN) y el desarrollo de fotodetectores ultravioleta con gran eficiencia cuántica
Los óxidos conductores transparentes (TCOs, por sus siglas en inglés) son materiales que combinan una baja absorción en el rango visible del espectro electromagnético con una conductividad eléctrica moderada. Perteneciente a la familia de los TCOs, el óxido de galio ( -Ga2O3) tiene uno de los mayores band gaps de todos los semiconductores (casi 5 eV). Últimamente, el interés científico sobre este material está aumentando exponencialmente por dos principales motivos: el desarrollo de dispositivos de Ga2O3 de alta potencia con mejores capacidades y menor coste que los semiconductores comerciales de este sector (SiC y AlN) y el desarrollo de fotodetectores ultravioleta con gran eficiencia cuántica
Description
Tesis inédita de la Universidad Complutense de Madrid, Facultad de Ciencias Físicas, Departamento de Física de Materiales, leída el 23-10-2020